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              當前位置 首頁 人才隊伍
              • 姓名: 蔡小五
              • 性別: 男
              • 職稱: 正高級工程師
              • 職務: 
              • 學歷: 博士
              • 電話: 010-82995553
              • 傳真: 010-82995961
              • 電子郵件: caixiaowu@ime.ac.cn
              • 所屬部門: 硅器件與集成研發中心
              • 通訊地址: 北京市朝陽區北土城西路3號

                簡  歷:

              • 教育背景

                2005.9-2008.6 中科院微電子研究所 微電子學 博士學位

                2002.9-2005.6 中科院上海技術物理研究所 微電子學 碩士學位

                1998.9-2002.6 河南大學物理與電子學院         物理學 學士學位

                工作簡歷

                2008.8-2015.10 香港應用科技研究院(ASTRI) 高級工程師

                2015.10-2016.11 香港應用科技研究院(ASTRI) 主任工程師

                2016.11-今 中國科學院微電子研究所 博士生導師、研究員級高工

                社會任職:

              • IEEE Member

                國家自然科學基金項目評議人、國家博士后基金項目評議人

                期刊《半導體學報》、《IEEE Electron Device Letters》、《IEEE Transactions on Electron Devices》審稿人

                2017、2018年北京微電子研究生學術論壇技術委員會委員

                研究方向:

              • 1.智能功率集成電路(Smart Power IC)設計

                2.智能高邊功率開關(Smart High-Side Power Switch)、智能低邊功率開關(Smart Low- Side Power Switch)集成電路設計

                3.體硅和SOI 高壓半橋驅動電路設計、低邊驅動電路設計

                4.體硅BCD和SOI BCD工藝研究

                5.功率器件VDMOS設計

                6.集成電路ESD保護設計

                承擔科研項目情況:

              • 負責或參與了多項重要國家科技項目,國家自然科學基金委青年項目,中科院微電子研究所“所長基金項目,香港創新科技署3項種子項目、3項平臺項目和1項企業合作項目。

                代表論著:

              • 1.        Xiaowu Cai, Beiping Yan, XiaoHuo, “An area efficient clamp based on transmission gate feedback for power rail ESD protection”, IEEE Electron Device Letters, 2015,36(7):639-641.

                2.        Xiaowu Cai, Junxiu Wei, Chao Liang, Zhe Gao, Chuan Lv. Investigation of high voltage SCR-LDMOS ESD device for 150V SOI BCD process. Microelectronics Reliability.2013,53(6):861-866

                3.        Cai Xiaowu, Wei Junxiu, Gao zhe, Liang Chao,Lv Chuan, Lv Kai. “Analysis of the area efficient transmission gate power clamp in 65nm CMOS process” ICSICT 2016.

                4.        Cai Xiaowu, Wei Junxiu, Gao zhe, Liang Chao,Lv Chuan, Lv Kai. “A SCR-LDMOS ESD Device for 150V HV SOI BCD Process” ICSICT 2016.

                5.        Xiaowu Cai, Yan Beiping, Han Xiaoyong, “Investigation of ESD second breakdown TCAD simulation” the 10th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceeding 2010. IEEE PRESS. On page(s): 1665 – 1667

                6.        Xiaowu Cai ,Chaohe Hai,“Study of Body Contact of Partial Depleted SOI NMOS Device”,the 8th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology Proceeding 2006. IEEE PRESS. On page(s): 212 - 214

                7.        蔡小五,海潮和,王立新,陸江,“新型低壓超結功率VDMOS器件數值模擬”,功能材料與器件,Vol.13, No.5, 2007,10

                8.        蔡小五,海潮和,王立新,陸江,劉剛,夏洋,“Power VDMOS中輻照引起的氧化物俘獲電荷和界面態電荷”,功能材料與器件, Vol.14,No.15, 2008.10

                9.        蔡小五,海潮和,陸江,王立新,劉剛,劉夢新,“Si3N4/SiO2疊層柵MOS電容抗輻照總劑量研究”,核電子與探測技術,Vol. 28,No. 4, 2008,7

                10.        蔡小五,周華杰,海潮和,“新型多柵全耗盡SOI器件研究進展”,電子器件,Vol. 30 , No. 3, 2007,6

                11.        蔡小五,馬斌,梁平治,“微機械非制冷紅外熱電堆探測器”,紅外技術,Vol.27,No.1, 2005,1

                12.        蔡小五,海潮和,王立新,郭天雷,趙發展,劉剛,“SOI薄膜全耗盡積累型PMOS器件研究”,第七屆全國SOI技術研討會,2007

                13.        蔡小五,海潮和,韓鄭生,夏洋,王立新,陸江,劉剛,劉夢新,“高可靠航天用VDMOS抗輻照技術基礎研究”,第六屆航天器抗輻射加固技術學術交流會,2007

                14.        蔡小五,海潮和,趙發展,王立新,陸江,劉剛,夏洋,“基于虛擬儀器的VDMOS輻照環境下開啟電壓在線測試系統”,第十五屆全國半導體集成電路、硅材料學術會議,2007

                15.        蔡小五, 韓鄭生,馬斌,梁平治,“微機械非制冷紅外熱電堆探測器的研制”,第十四屆全國半導體集成電路、硅材料學術會議,2005

                16.        Zhe Gao*, Xiaowu Cai, Chuan Lv, Chao Liang: Analysis on vulnerability of power grid based on electrical betweenness with information entropy. CCC2014:2727-2731.

                17.        Yi Song*, Qiuxia Xu, Huajie Zhou, Xiaowu Cai. Design and optimization considerations for bulk gate all around nano-wire MOSFETs. Semiconductor Science and Technology 2009, 24(10):1-7.

                18.        Hui Wang, Tongwei Li, Zhenlong Lv, Weiwei Ju, Xiaoyan Zhao, Xiaowu Cai,Han Han, Lattice vibrational spectra of double-helix LiP. EPL, 105 (2014) 16001

                專利申請:

              • 美國專利

                1. Xiaowu Cai, Beiping Yan,et al. “NMOS based feedback power clamp for on chip ESD protection”, US Patent, US8369054, 2013.2.5.

                2.  Xiaowu Cai, Beiping Yan,et al. “Area-efficient clamp for power ring ESD protection using a transmission gate”, US Patent, US9356442 B2, 2016.05.31.

                3. Xiaowu Cai, Beiping Yan, Huo Xiao. “ESD Power clamp for SOI and FinFET processes lacking parasitic ESD Diode” US Patent, US 9305916B1 , 2016.04.05.

                4. Xiaowu Cai, Beiping Yan, Zhongzi Chen. “lateral-diode, vertical-SCR hybrid structure for high-level ESD protection”, US Patent, US 9640523 B2, 2017.05.02.

                5. Xiao Huo, Beiping Yan, Zhongzi Chen, Xiaowu Cai. “Digital-to-Analog Converter (DAC) Current Cell with Shadow Differential Transistors for Output Impedance Compensation”,US Patent, US8643520 B1,2014.02.04.

                6.Zhongzi Chen, Beiping Yan, Xiao Huo, Xiaowu_Cai. “Phase-to-Amplitude Converter for Direct Digital Synthesizer (DSS) with Reduced AND and Reconstructed ADD Logic Arrays”, US Patent, US0222882, 2014.08.07.

                7. Xiao Huo, Beiping Yan, Xiaowu Cai. “Electro-Static-Discharge (ESD) Protection Structure With Stacked Implant Junction Transistor and Parallel Resistor and Diode Paths to Lower Trigger Voltage and Raise Holding Voltage”, US Patent, US9054521, 2015.06.09.

                中國專利:

                1.   蔡小五,劉海南等,“一種SOI功率開關的ESD保護器件”,申請號:201910010757.1,2019/01/07

                2.   蔡小五,趙發展等,“用于功率集成電路輸出LDMOS器件保護的雙向ESD結構”,申請號:201811066380.3,2018/09/13

                3.   蔡小五,趙發展等,“一種具有高維持電壓的LDMOS結構的ESD保護器件”,申請號:201821494772.5,2018/09/13

                4.   蔡小五,趙發展等, 一種雙向觸發的LDMOS結構的ESD保護器件,申請號:201821494886.X,2018/09/13

                5.   蔡小五,羅家俊等,“一種ESD鉗位電路及集成電路”,申請號:201711008522.6, 2017/10/25

                6.   蔡小五,羅家俊等,“一種晶體管、鉗位電路及集成電路”,申請號: 201710874226.8, 2017/9/25

                7.   蔡小五,羅家俊等,“一種晶體管、鉗位電路及集成電路”,申請號: 201710875844.4, 2017/9/25

                8.   蔡小五,羅家俊等,“一種晶體管、鉗位電路及集成電路”,申請號: 201710875851.4,2017/9/25.

                9.   蔡小五,魏俊秀,高哲等,“一種NMOS低壓觸發的雙向SCR結構”, 申請號:2016110773683, 2016.11

                10. 蔡小五,魏俊秀,高哲等,“一種用于ESD保護的雙向SCR結構”, 申請號:2016110773626, 2016.11

                11. 蔡小五,魏俊秀,高哲等,“一種用于ESD保護的低壓觸發雙向SCR結構” 申請號:2016110773645, 2016.11

                12. 蔡小五,魏俊秀,高哲等,“一種用于ESD保護的雙向縱向NPN結構”, 申請號:2016110773630, 2016.11

                13. 蔡小五,嚴北平,陳中子.“用于高HBM ESD保護能力的橫向二極管和垂直SCR混合結構”, 申請號:201580001641.1 ,2015.09.25,公開號105556667A, 2016.5.4

                14. 蔡小五,呂川, 高哲等, “用于集成電路的靜電放電電源鉗制電路及其控制方法” ,申請號:201410664096.1 ,2014-11-20. 公開號:104362606A, 2015.02.18

                15. 閆明,魏俊秀等,“分數階全局滑?;ヂ摼W擁塞控制方法”,申請號:201310287359.7,申請公布號 CN103354526 A 2013.10

                16. 代萌(SMIC),蔡小五,張莉菲(SMIC),甘正浩(SMIC),俞少峰(SMIC). “靜電防護電路”, 申請號:201310231677.1,2013.06.09 ,公開號:104242280A , 2014.12.24 , (與SMIC合作申請)

                17.  蔡小五,趙發展,海潮和,陸江,王立新,“VDMOS開啟電壓遠程在線測試系統”。中國專利。申請號: 200710179370.6公開號:CN200710179370.6.

                18.  蔡小五,嚴北平,霍曉. “一種絕緣體上硅SOI的ESD保護電路”, 公開號,104835816A, 2015.08.12. 授權號:CN 104835816B 2017.09.08

                19.  蔡小五,嚴北平,霍曉. “一種使用傳輸門的電源鉗位ESD保護電路”, 公開號, 104283198A, 2015.01.14. 授權號: 104283198B 2017.04.12

                20.  蔡小五 高哲 呂川 魏俊秀 閆明 梁超 劉興輝, “集成電路高壓兼容靜電放電的電源鉗制電路”, 申請號:201410663954.0 ,2014-11-20,公開號:104332976A,2015.02.04,授權號:104332976B,2017.05.17

                21.  蔡小五,魏俊秀,呂川,高哲,梁超,閆明,劉興輝,“用于集成電路的靜電放電觸發電路”,申請號:201420697453.X ,2014-11-20 ,公開授權號:204180038U,2015.02.25,

                22.  蔡小五,高哲,閆明等, “采用雙通道技術的用于電源和地之間ESD保護的Power Clamp” 申請號:201310477495.2 公開號:CN103515944A, 授權公告號: 103515944B,2017.1.12

                23.  蔡小五,魏俊秀,呂川等,“PMOS嵌入的低壓觸發用于ESD保護的SCR器件”,2012,中國專利,申請號:201210523149.9公開號:CN103094278A,授權公告號103094278 B. 2016.1.20

                24.  蔡小五,劉興輝,魏俊秀等. “Native NMOS低壓觸發的用于ESD保護的SCR器件”,公開號:103178105A,授權公告號103178105B. 2015.7.8

                25.  蔡小五,魏俊秀,梁超等,“一種用于ESD保護的低壓觸發SCR器件”, 公開號:CN102938403A,授權公告號:102938403B. 2015.5.6

                26.  蔡小五,嚴北平等.“一個基于NMOS反饋用于芯片上電源箝位ESD保護電路”,公開號:CN201010222713.4,授權公告號:ZL201010222713.4. 2013.6.12

                27.  蔡小五,海潮和等,“制備超結VDMOS器件的方法”,公開號:CN200810057881.5 授權公告號:101515547B. 2011.2.16

                28.  霍曉 ,嚴北平, 蔡小五, “一種有低觸發電壓和高保持電壓的ESD保護結構”, 授權公告號:103560126A. 2016.9.28

                29.  霍曉,嚴北平,陳中子,蔡小五,“具有輸出阻抗補償輔助差分晶體管的數模轉換器電流單元”,申請號:201310048122.3申請公布號:CN103312326 A. 公告號: 103312326B. 2016.06.29

                30.  陳中子,嚴北平,霍曉,蔡小五,“具有簡化AND和重建ADD邏輯陣列的直接數字頻率合成器”,申請號:201310226152.9,申請公布號 CN103346791 A 授權公告號: 103346791B. 2015.11.04

                獲獎及榮譽:

              • 2018年度優秀員工

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