澳门金沙官网

      1. <menuitem id="1j7bo"></menuitem>

          <progress id="1j7bo"></progress>
            1. <progress id="1j7bo"><bdo id="1j7bo"><dfn id="1j7bo"></dfn></bdo></progress>

                當前位置 >>  首頁 >> 綜合信息 >> 圖片新聞

              圖片新聞

              2018-11-14 北京市政協第八次“科技講堂”在微電子所舉行.jpg
              北京市政協第八次“科技講堂”在微電子所舉行
              2018-11-14

              11月13日,北京市政協第八次“科技講堂”在微電子所舉行,圍繞中國集成電路產業創新發展進行專題學習。微電子所所長葉甜春作授課報告。北京市政協主席吉林,副主席楊藝文、陳軍,以及北京市...


              2018-10-22 中國集成電路產業發展創新戰略研討會暨微電子所建所60周年慶祝大會召開.jpg
              中國集成電路產業發展創新戰略研討會暨微電子所建所60周年慶祝大會召開
              2018-10-22

              10月20日,中國集成電路產業發展創新戰略研討會暨慶祝微電子所建所60周年大會召開。來自院內兄弟單位、行業企業、高校、科研院所和地方政府的各級領導、專家學者和業界朋友,以及微電子所領...


              2018-08-30 微電子所在8寸平臺上成功制造絕緣體上張應變鍺(TSGOI)晶圓.jpg
              微電子所在8寸平臺上成功制造絕緣體上張應變鍺(TSGOI)晶圓
              2018-08-30

              近日,中國科學院微電子研究所研究員Henry Radamson和副研究員王桂磊在先導中心8寸平臺上成功制造絕緣體上張應變鍺(TSGOI)晶圓。該項技術突破,實現了工藝過程中對Ge的誘導應變微調,使Ge...


              2018-06-25微電子所在氮化鎵界面態研究中取得創新性進展.png
              微電子所在氮化鎵界面態研究中取得創新性進展
              2018-06-25

              近期,中國科學院微電子研究所劉新宇研究員團隊及合作者(中國科學院固體物理研究所王先平課題組、中國科學院微電子研究所先導中心工藝平臺等)在氮化鎵界面態起源研究方面取得創新性進展。...


              2018-04-24微電子所在新型硅基環柵納米線MOS器件研究中取得重要進展.png
              微電子所在新型硅基環柵納米線MOS器件研究中取得重要進展
              2018-04-24

              近日,中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心在面向5納米以下技術代的新型硅基環柵納米線( Gate-all-around silicon nanowire , GAA SiNW ) MOS器件的結構和制造方法研究上取得...


              澳门金沙官网